說(shuo)起碳(tan)化硅(gui)(gui)晶片(pian)(pian)，大家(jia)也許會覺得(de)很(hen)陌生(sheng)。但(dan)在(zai)我們熟知(zhi)的(de)電(dian)動汽車和5G通信中，它(ta)卻發(fa)揮著(zhu)舉足(zu)輕(qing)重(zhong)的(de)作用(yong)。5G之所以速度(du)快，是(shi)因(yin)為它(ta)有一(yi)顆非常強大的(de)心臟(zang)，這個(ge)心臟(zang)依賴的(de)就是(shi)一(yi)片(pian)(pian)薄如紙的(de)碳(tan)化硅(gui)(gui)晶片(pian)(pian)。雖然從(cong)外表看只是(shi)個(ge)小圓片(pian)(pian)，但(dan)作為目前全(quan)球最先進的(de)第三代(dai)半(ban)導體(ti)材料(liao)(liao)，碳(tan)化硅(gui)(gui)晶片(pian)(pian)具(ju)有其他材料(liao)(liao)不具(ju)備的(de)諸多優點(dian)，是(shi)制(zhi)造(zao)高(gao)溫、高(gao)頻、大功率(lv)半(ban)導體(ti)器件的(de)理想襯底。除電(dian)動汽車、5G通信外，在(zai)國防、航空航天等領域，碳(tan)化硅(gui)(gui)晶片(pian)(pian)也有著(zhu)廣闊(kuo)的(de)應用(yong)前景，它(ta)的(de)研究和應用(yong)極具(ju)戰略(lve)意義(yi)，有著(zhu)不可替代(dai)的(de)優勢，被視作國家(jia)新(xin)一(yi)代(dai)信息技術核心競(jing)爭力的(de)重(zhong)要支撐。5月(yue)12日，習近平總書記來到山(shan)西轉型(xing)綜合改革(ge)示(shi)范(fan)區(qu)政(zheng)務服(fu)務中心改革(ge)創新(xin)展廳(ting)，了解示(shi)范(fan)區(qu)改革(ge)創新(xin)發(fa)展情況(kuang)。位(wei)于示(shi)范(fan)區(qu)內(nei)的(de)中國電(dian)科（山(shan)西）碳(tan)化硅(gui)(gui)材料(liao)(liao)產業基地，就是(shi)全(quan)國最大生(sheng)產規(gui)模(mo)的(de)碳(tan)化硅(gui)(gui)生(sheng)產基地。

從長期依賴進(jin)口、被國外“卡脖子(zi)”，到掌握(wo)批量生產(chan)(chan)技(ji)術(shu)、實現完全自主供應，近年來，中國的碳化硅研制(zhi)與生產(chan)(chan)成效卓著。這小小的晶(jing)片里蘊含著哪(na)(na)些(xie)(xie)創新技(ji)術(shu)？研發制(zhi)造過程中又(you)運用了哪(na)(na)些(xie)(xie)高超工藝(yi)？讓我們一探究竟。

晶片有什么用途？

每生產一(yi)輛電動汽車，至少要消耗一(yi)片(pian)碳化硅

厚度(du)0.5毫(hao)米，約為5張A4紙的(de)厚度(du)；直徑(jing)4英寸或(huo)6英寸，和一(yi)張CD光(guang)盤差(cha)不多。這樣(yang)一(yi)個(ge)薄(bo)(bo)薄(bo)(bo)的(de)圓片(pian)(pian)，就(jiu)(jiu)是碳化硅(gui)晶片(pian)(pian)。而(er)就(jiu)(jiu)是這樣(yang)一(yi)個(ge)薄(bo)(bo)片(pian)(pian)，市場售價卻(que)在2000美元左右，還經常是“一(yi)片(pian)(pian)難(nan)求”。

碳(tan)化硅晶片為(wei)何這(zhe)么搶手(shou)？這(zhe)還(huan)要從(cong)碳(tan)化硅這(zhe)一材(cai)料說起(qi)。

碳化硅(gui)材料作為(wei)成熟的第三(san)代半導體材料，具有(you)(you)耐高溫、大功率、高頻等(deng)天然優(you)勢，在(zai)新能源汽車、智能電(dian)(dian)網、軌道交通(tong)、工業(ye)電(dian)(dian)機、5G通(tong)信(xin)等(deng)領(ling)(ling)域展現出極大的應(ying)用(yong)(yong)潛力，在(zai)許(xu)多戰略行業(ye)都有(you)(you)重(zhong)要應(ying)用(yong)(yong)價值。與普通(tong)硅(gui)相比(bi)，碳化硅(gui)器件的耐壓性是同(tong)(tong)等(deng)硅(gui)器件的10倍。同(tong)(tong)時，碳化硅(gui)材料對電(dian)(dian)力的能耗極低，是一種理想(xiang)的節(jie)(jie)能材料。如果按照(zhao)年產40萬片碳化硅(gui)晶片算，僅(jin)僅(jin)應(ying)用(yong)(yong)在(zai)照(zhao)明領(ling)(ling)域，每(mei)年減耗的電(dian)(dian)能就(jiu)相當(dang)于節(jie)(jie)省2600萬噸標(biao)準煤。

記者(zhe)了解到(dao)，目前，碳(tan)化硅(gui)制成的(de)(de)晶(jing)片主(zhu)要應用在兩個(ge)方(fang)面。一個(ge)是(shi)(shi)作為(wei)(wei)襯底用于制作射(she)頻器(qi)件，比如今年政府工作報告提到(dao)的(de)(de)新(xin)基(ji)建中(zhong)的(de)(de)5G基(ji)站(zhan)建設(she)(she)、城際高速鐵路、新(xin)能源汽(qi)車充電樁(zhuang)等。就(jiu)5G基(ji)站(zhan)建設(she)(she)來說(shuo)，5G之所以(yi)傳輸(shu)速度快，是(shi)(shi)因為(wei)(wei)它有(you)強(qiang)大的(de)(de)5G芯片。而碳(tan)化硅(gui)晶(jing)片，就(jiu)是(shi)(shi)5G芯片最理想的(de)(de)襯底。“現在咱們家里(li)邊也有(you)5G的(de)(de)一些(xie)小(xiao)路由(you)器(qi)，但它只是(shi)(shi)在室(shi)內(nei)，輻射(she)距離很短(duan)，5G基(ji)站(zhan)的(de)(de)輻射(she)范圍至少要達(da)到(dao)幾公里(li)。這(zhe)么高的(de)(de)功率，用碳(tan)化硅(gui)替代硅(gui)做射(she)頻器(qi)件，就(jiu)可以(yi)讓設(she)(she)備(bei)的(de)(de)體(ti)積(ji)做得(de)更小(xiao)，還能降低(di)能量損耗、增加(jia)設(she)(she)備(bei)在惡劣環境(jing)下的(de)(de)可靠(kao)性(xing)。”山西碳(tan)化硅(gui)生產(chan)企(qi)業——中(zhong)國電子(zi)科技(ji)(ji)集團公司（以(yi)下簡稱中(zhong)電科）技(ji)(ji)術總監魏汝省介紹道。

碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)晶片的(de)(de)另一(yi)個作用(yong)是(shi)用(yong)于制造電(dian)(dian)力(li)電(dian)(dian)子器(qi)件，比如三極管，主要(yao)的(de)(de)應(ying)用(yong)領(ling)域是(shi)電(dian)(dian)動(dong)汽車(che)(che)。魏汝省表示：“目前，電(dian)(dian)動(dong)汽車(che)(che)的(de)(de)續航還(huan)是(shi)個問題。如果用(yong)上(shang)碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)晶片的(de)(de)話(hua)，就(jiu)能在(zai)電(dian)(dian)池不變的(de)(de)情況下，使汽車(che)(che)的(de)(de)續航力(li)增加10%左右。雖(sui)然碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)在(zai)電(dian)(dian)動(dong)汽車(che)(che)上(shang)的(de)(de)應(ying)用(yong)才剛剛起步，尚(shang)在(zai)開(kai)發中，但(dan)每生產一(yi)輛電(dian)(dian)動(dong)汽車(che)(che)，至少要(yao)消耗一(yi)片碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)，所(suo)以發展(zhan)前景廣闊。”

除了(le)功能強大，碳(tan)(tan)(tan)(tan)化(hua)(hua)硅晶片(pian)(pian)之所(suo)以如此珍貴的另一(yi)個更為重要的原因，是碳(tan)(tan)(tan)(tan)化(hua)(hua)硅器件對(dui)工(gong)藝要求很高(gao)。其中，高(gao)穩定性的長(chang)晶工(gong)藝技術(shu)是其核心(xin)，原來只有美國(guo)(guo)等少(shao)數發(fa)達國(guo)(guo)家掌握，全(quan)球(qiu)也(ye)僅(jin)有極少(shao)數企(qi)業(ye)能商業(ye)化(hua)(hua)量(liang)(liang)產。我(wo)國(guo)(guo)的碳(tan)(tan)(tan)(tan)化(hua)(hua)硅晶體研(yan)究(jiu)起步(bu)較(jiao)晚，20世(shi)紀90年代末才剛(gang)剛(gang)開始(shi)。但近(jin)年來，我(wo)國(guo)(guo)在(zai)碳(tan)(tan)(tan)(tan)化(hua)(hua)硅晶片(pian)(pian)領域奮力(li)追趕，從(cong)基本原理研(yan)究(jiu)和(he)基礎實驗做起，逐漸掌握了(le)碳(tan)(tan)(tan)(tan)化(hua)(hua)硅晶片(pian)(pian)技術(shu)，一(yi)步(bu)一(yi)步(bu)，從(cong)實驗室(shi)走向了(le)產業(ye)化(hua)(hua)。2018年，中電科(ke)二所(suo)歷經11年艱苦攻關，在(zai)國(guo)(guo)內率先完(wan)成4英(ying)寸(cun)高(gao)純半絕緣(yuan)碳(tan)(tan)(tan)(tan)化(hua)(hua)硅單晶襯(chen)底(di)材料的工(gong)程化(hua)(hua)和(he)6英(ying)寸(cun)高(gao)純半絕緣(yuan)碳(tan)(tan)(tan)(tan)化(hua)(hua)硅單晶襯(chen)底(di)的研(yan)發(fa)，一(yi)舉(ju)突破國(guo)(guo)外對(dui)我(wo)國(guo)(guo)碳(tan)(tan)(tan)(tan)化(hua)(hua)硅晶體生長(chang)技術(shu)的長(chang)期封鎖。如今，國(guo)(guo)內已(yi)經實現了(le)6英(ying)寸(cun)碳(tan)(tan)(tan)(tan)化(hua)(hua)硅晶片(pian)(pian)和(he)外延(yan)片(pian)(pian)的研(yan)制(zhi)，晶體質量(liang)(liang)接近(jin)國(guo)(guo)際水平。

晶片制造難在哪里？

晶(jing)體中連(lian)頭發絲幾十分之一細的(de)微管都不能(neng)有

“碳(tan)(tan)化(hua)(hua)(hua)硅具有(you)(you)十分穩定(ding)的(de)特性(xing)，所以(yi)在一(yi)些(xie)惡(e)劣環境(jing)下仍可穩定(ding)工作。也正(zheng)是因為穩定(ding)的(de)化(hua)(hua)(hua)學鍵(jian)，碳(tan)(tan)化(hua)(hua)(hua)硅生產的(de)技術(shu)門(men)檻非(fei)常高(gao)(gao)。”談起碳(tan)(tan)化(hua)(hua)(hua)硅晶(jing)片研制(zhi)(zhi)之難(nan)，中國科學院(yuan)半導體研究所副所長(chang)張韻列舉了(le)以(yi)下幾個(ge)方面，“碳(tan)(tan)化(hua)(hua)(hua)硅晶(jing)錠(ding)(ding)生長(chang)條(tiao)件苛刻，需要高(gao)(gao)溫(wen)（~2600℃）和高(gao)(gao)壓（>350MPa）生長(chang)環境(jing)；晶(jing)體生長(chang)速度(du)(du)緩慢(man)，產能有(you)(you)限，質(zhi)量也相對不穩定(ding)；受到(dao)晶(jing)片生長(chang)爐(lu)尺寸(cun)(cun)限制(zhi)(zhi)，束縛了(le)晶(jing)錠(ding)(ding)尺寸(cun)(cun)；碳(tan)(tan)化(hua)(hua)(hua)硅屬(shu)于(yu)硬脆(cui)材料，硬度(du)(du)僅次(ci)于(yu)金剛石(shi)，切割難(nan)度(du)(du)大，研磨精度(du)(du)難(nan)控制(zhi)(zhi)。”

要想生(sheng)產(chan)(chan)出高質量(liang)的(de)(de)(de)(de)(de)碳化(hua)硅晶片(pian)(pian)，必須攻(gong)克(ke)這(zhe)些技術難關。“咱們國內就射頻器(qi)件方面一(yi)(yi)年(nian)就有10萬片(pian)(pian)的(de)(de)(de)(de)(de)需求量(liang)，國外又對此類產(chan)(chan)品(pin)封鎖禁運，核心(xin)技術花錢(qian)是(shi)買不來的(de)(de)(de)(de)(de)，只有自(zi)力更生(sheng)，才能徹(che)底(di)解決(jue)被(bei)‘卡脖(bo)子’的(de)(de)(de)(de)(de)問題。”中電科總(zong)經理李斌(bin)向記者(zhe)介紹了碳化(hua)硅晶片(pian)(pian)的(de)(de)(de)(de)(de)復(fu)雜生(sheng)產(chan)(chan)過(guo)程，“把高純度的(de)(de)(de)(de)(de)碳化(hua)硅粉料放(fang)(fang)到(dao)長晶爐里加熱到(dao)2000多攝氏度，讓(rang)顆粒直(zhi)接汽化(hua)，再控制它重新結(jie)晶，長成一(yi)(yi)個(ge)直(zhi)徑為(wei)4英(ying)寸(cun)或(huo)6英(ying)寸(cun)的(de)(de)(de)(de)(de)圓(yuan)餅狀(zhuang)晶錠。之后，我們用很多根直(zhi)徑僅0.18微(wei)米的(de)(de)(de)(de)(de)金剛石線，同時切下去，把晶錠切成一(yi)(yi)片(pian)(pian)一(yi)(yi)片(pian)(pian)的(de)(de)(de)(de)(de)圓(yuan)片(pian)(pian)。每一(yi)(yi)片(pian)(pian)圓(yuan)片(pian)(pian)再放(fang)(fang)到(dao)研磨設備里，把兩邊磨平，最后進行(xing)拋光，得到(dao)透(tou)明玻(bo)璃片(pian)(pian)一(yi)(yi)樣的(de)(de)(de)(de)(de)晶片(pian)(pian)。”

目(mu)前，生產(chan)碳化硅(gui)晶(jing)(jing)片的(de)(de)兩大關鍵技術是晶(jing)(jing)體生長和晶(jing)(jing)片的(de)(de)切割拋光。張韻表示(shi)，上(shang)游企業所生產(chan)的(de)(de)晶(jing)(jing)片尺寸和質量(liang)會影(ying)響下(xia)游碳化硅(gui)器件的(de)(de)性(xing)能、成(cheng)品率及成(cheng)本。只有把襯底質量(liang)做好了、成(cheng)本降低了，才能讓下(xia)游的(de)(de)科研(yan)機(ji)構或(huo)者企業不再束手束腳，有更多(duo)的(de)(de)機(ji)會去多(duo)做器件級(ji)研(yan)究(jiu)。

記(ji)者(zhe)了(le)解到(dao)，一(yi)(yi)(yi)個(ge)直徑(jing)(jing)4英(ying)(ying)寸(cun)(cun)的(de)(de)晶(jing)片(pian)(pian)一(yi)(yi)(yi)次可做成1000個(ge)芯(xin)片(pian)(pian)，而6英(ying)(ying)寸(cun)(cun)的(de)(de)晶(jing)片(pian)(pian)一(yi)(yi)(yi)次可做成3000個(ge)芯(xin)片(pian)(pian)，所以直徑(jing)(jing)大的(de)(de)晶(jing)片(pian)(pian)更有優勢。從2英(ying)(ying)寸(cun)(cun)到(dao)6英(ying)(ying)寸(cun)(cun)，其中的(de)(de)關(guan)鍵是(shi)(shi)(shi)擴晶(jing)技術。“碳化硅(gui)晶(jing)片(pian)(pian)是(shi)(shi)(shi)由一(yi)(yi)(yi)個(ge)種子開始(shi)一(yi)(yi)(yi)層層生長(chang)(chang)起來的(de)(de)，從2英(ying)(ying)寸(cun)(cun)長(chang)(chang)到(dao)3英(ying)(ying)寸(cun)(cun)再到(dao)6英(ying)(ying)寸(cun)(cun)。在(zai)這個(ge)生長(chang)(chang)過(guo)程中，晶(jing)體(ti)很(hen)容易出(chu)現缺陷。”中電科生產主管(guan)(guan)毛開禮說，“我們的(de)(de)一(yi)(yi)(yi)個(ge)指標叫微(wei)管(guan)(guan)，就(jiu)是(shi)(shi)(shi)晶(jing)體(ti)中出(chu)現的(de)(de)大概只有頭發絲(si)幾十(shi)分之一(yi)(yi)(yi)細的(de)(de)一(yi)(yi)(yi)個(ge)管(guan)(guan)狀孔洞(dong)，眼睛是(shi)(shi)(shi)看(kan)不到(dao)的(de)(de)。一(yi)(yi)(yi)旦出(chu)現微(wei)管(guan)(guan)，整個(ge)晶(jing)體(ti)就(jiu)不合(he)格了(le)。由于溫度太高(gao)，沒辦法進行人工干預，所以整個(ge)生長(chang)(chang)過(guo)程就(jiu)如(ru)同‘蒙眼繡(xiu)花’，這恰恰是(shi)(shi)(shi)晶(jing)片(pian)(pian)最核心的(de)(de)技術。解決這個(ge)技術難題，我們用了(le)七八年(nian)的(de)(de)時間。”

碳化硅晶片(pian)的(de)加工(gong)也(ye)是(shi)(shi)一(yi)個艱難過程。毛開禮表示(shi)，晶片(pian)的(de)粗糙度(du)要求是(shi)(shi)表面起伏小于(yu)0.1納米(mi)(mi)(mi)，國內現在是(shi)(shi)采用化學和(he)機械聯合的(de)方式進(jin)行拋(pao)光。“從技術(shu)上來說，我們的(de)一(yi)個圓片(pian)原(yuan)來切完(wan)的(de)話，可(ke)能是(shi)(shi)700-800微(wei)米(mi)(mi)(mi)厚，而(er)最終產品要求是(shi)(shi)500微(wei)米(mi)(mi)(mi)，所(suo)以相當于(yu)要磨掉幾百微(wei)米(mi)(mi)(mi)。現在我們通過技術(shu)改進(jin)，切完(wan)大概就是(shi)(shi)550微(wei)米(mi)(mi)(mi)，只需磨掉50微(wei)米(mi)(mi)(mi)左右，整(zheng)個生產成(cheng)本(ben)有了大幅降低。”

晶片量產前景如何？

600臺長晶爐(lu)、18萬片年產量，徹底擺脫(tuo)進口依賴(lai)

今年3月，中國(guo)(guo)電科（山西）碳化(hua)硅材料產(chan)業基(ji)地(di)在山西轉型綜合改革示范區正式(shi)(shi)投產(chan)，第一批設(she)備(bei)正式(shi)(shi)啟(qi)(qi)動。基(ji)地(di)一期項目可容納600臺碳化(hua)硅單晶(jing)生長爐，項目建成后將具備(bei)年產(chan)10萬片(pian)4-6英(ying)寸N型碳化(hua)硅單晶(jing)晶(jing)片(pian)、5萬片(pian)4-6英(ying)寸高(gao)純半絕(jue)緣型碳化(hua)硅單晶(jing)晶(jing)片(pian)的(de)生產(chan)能力，是目前國(guo)(guo)內最大的(de)碳化(hua)硅材料產(chan)業基(ji)地(di)。這一基(ji)地(di)的(de)啟(qi)(qi)動，將徹底打破(po)國(guo)(guo)外對我國(guo)(guo)碳化(hua)硅封鎖的(de)局面，實(shi)現碳化(hua)硅的(de)完全自主供應。

在基地的(de)碳(tan)化(hua)硅生(sheng)(sheng)產車(che)間，白色的(de)長(chang)晶爐一(yi)字(zi)排開，碳(tan)化(hua)硅晶片正在里面安(an)靜生(sheng)(sheng)長(chang)。李斌介紹：“現(xian)在，咱(zan)們(men)所(suo)使(shi)用的(de)粉料合成設備、長(chang)晶爐，都是自己研(yan)發、自己生(sheng)(sheng)產的(de)全國產化(hua)的(de)設備。設備的(de)配套(tao)產品和功(gong)能(neng)(neng)元器件能(neng)(neng)滿(man)足長(chang)期(qi)、穩定(ding)、可靠(kao)使(shi)用的(de)要求，同時節能(neng)(neng)效果(guo)好，具有連續工(gong)作(zuo)高穩定(ding)性(xing)和良好精(jing)度(du)保持性(xing)。”

對于國(guo)內(nei)半(ban)導(dao)體領域(yu)來說，產業化(hua)(hua)規模(mo)效(xiao)應，不僅降低(di)了碳(tan)化(hua)(hua)硅晶(jing)片(pian)的成本，也不斷(duan)促(cu)使碳(tan)化(hua)(hua)硅晶(jing)片(pian)質量提升。據李斌介紹，目(mu)前(qian)國(guo)際上(shang)碳(tan)化(hua)(hua)硅晶(jing)片(pian)的合(he)格率最(zui)高是70%-80%，而原來國(guo)內(nei)實驗室生產的碳(tan)化(hua)(hua)硅晶(jing)片(pian)的合(he)格率僅有30%。但在碳(tan)化(hua)(hua)硅產業基(ji)地，這個合(he)格率可以達(da)到65%。

實現這樣高的(de)合格率(lv)，一(yi)個(ge)是(shi)靠先進的(de)設備，一(yi)個(ge)是(shi)靠管理(li)。毛開禮介紹：“我們把所有(you)的(de)工(gong)藝(yi)分成若干段，增加(jia)了(le)大(da)量的(de)一(yi)線工(gong)人，每段每個(ge)人只干這一(yi)件事情(qing)，不(bu)僅效率(lv)會提高，而且出錯率(lv)也大(da)幅降低，因為(wei)原來(lai)一(yi)個(ge)人要(yao)參(can)與前(qian)前(qian)后后大(da)概有(you)三四(si)十道(dao)工(gong)序，不(bu)利于專(zhuan)業化，出錯率(lv)就會很高。”

目(mu)前(qian)(qian)，基地已(yi)經(jing)實現4英寸晶(jing)(jing)片(pian)(pian)(pian)的(de)(de)(de)大批量(liang)產，6英寸高純半絕緣碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)單晶(jing)(jing)襯底(di)也(ye)(ye)已(yi)經(jing)開始工程(cheng)化(hua)(hua)(hua)驗證(zheng)，為客戶提供小批量(liang)的(de)(de)(de)產品試用(yong)，預計年(nian)底(di)達到產業化(hua)(hua)(hua)應用(yong)與國際(ji)水平(ping)相(xiang)當(dang)。展望未(wei)來，李斌信心(xin)滿滿地說(shuo)，“在碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)領域，我們要(yao)(yao)緊跟(gen)國際(ji)的(de)(de)(de)腳步，因為目(mu)前(qian)(qian)我國在第三代半導體材(cai)料上跟(gen)國際(ji)的(de)(de)(de)差距相(xiang)對較(jiao)小，我們要(yao)(yao)保證(zheng)不能(neng)掉隊(dui)。習近平(ping)總書記(ji)說(shuo)過，核心(xin)技術靠化(hua)(hua)(hua)緣是要(yao)(yao)不來的(de)(de)(de)。在關鍵領域、卡脖子的(de)(de)(de)地方要(yao)(yao)下大功夫。現在我們在實現迅速(su)研發的(de)(de)(de)同時(shi)也(ye)(ye)進一(yi)步開展量(liang)產，三年(nian)內整個項目(mu)要(yao)(yao)達到18萬片(pian)(pian)(pian)每年(nian)的(de)(de)(de)產能(neng)。另外，我們目(mu)前(qian)(qian)在進行8英寸晶(jing)(jing)片(pian)(pian)(pian)的(de)(de)(de)研究，希望三年(nian)之后，我們能(neng)有8英寸的(de)(de)(de)樣片(pian)(pian)(pian)出來。因為晶(jing)(jing)片(pian)(pian)(pian)是整個碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)產業鏈的(de)(de)(de)上游，要(yao)(yao)走到器(qi)件研究的(de)(de)(de)前(qian)(qian)面。”